新闻中心
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1前言集成电路制造关键技术及装备主要包括光刻技术及光刻设备、薄膜生长技术及装备、化学机械抛光技术及装备、高密度后封装技术及装备等，均涉及高效率、高精度、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求[1]。先进陶瓷部件的强度、硬度很高，对高温、高磨损、高腐蚀等环境下具有强大的抵抗能力，在某些工况下比金属或者高分子材料具有不可替代的优势。随着现代工业技术的发展，对精···
2024
07-18
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碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展···
2024
07-16
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在追求高性能电子器件的今天，碳化硅以其卓越的物理和电学性能，成为了制造电力电子器件的理想材料。然而，碳化硅衬底在抛光工艺上还面临着成本、环保等方面的难题，一直是制约其广泛应用的瓶颈。传统CMP（化学机械抛光）需要使用大量的抛光液材料，抛光液成本占抛光环节成本比例较大，这不仅增加了生产成本，也对环境造成了负担。近日，日本立命馆大学（Ritsumeikan University）一研究团队开发了一种新···
2024
07-13
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1前言集成电路制造关键技术及装备主要包括光刻技术及光刻设备、薄膜生长技术及装备、化学机械抛光技术及装备、高密度后封装技术及装备等，均涉及高效率、高精度、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求[1]。先进陶瓷部件的强度、硬度很高，对高温、高磨损、高腐蚀等环境下具有强大的抵抗能力，在某些工况下比金属或者高分子材料具有不可替代的优势。随着现代工业技术的发展，对精···
2024
07-09
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碳化硅是一种人造材料，只是在人工合成碳化硅之后，才证实陨石中及地壳上偶然存在碳化硅。碳化硅的分子式为 SiC，分子量为 40.07，质量百分组成为 70.04的硅与 29.95 的碳，碳化硅的理论密度为 3.16-3.2g/cm3。碳化硅陶瓷与其他耐高温结构陶瓷的物理性能比较SiC 是以共价键为主的共价化合物，由于碳和硅两元素在形成 SiC 晶体时，它的基本单元是四面体，所有 SiC 均由 SiC···
2024
07-04
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碳化硅技术：引领半导体领域革新的关键力量 碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）作为一种先进的半导体材料，为半导体技术的突破性发展提供了巨大的潜力。从碳化硅的起源、结构性质、外延生长到晶圆制造、器件设计、封装与模块化，本文将全面探讨碳化硅技术在半导体领域的重要性、关键技术和应用前景。碳化硅（Silicon Carbide，简称SiC）是一种重要的半导体材料，具有广泛的应用领域。它的起···
2024
06-27
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在半导体产业链里面，一个小而美的材料，那就是靶材。从名称中不难理解，靶材就是要被射中的靶，但是这里我们所说的靶材并不是射箭的那个靶材，而是高速核能粒子，通过不同的靶材，就可得到不同的膜系。虽然靶材并不像硅片或者光刻胶一样显眼，但是作用不可小觑。不少人可能对靶材比较陌生，可是它却早早潜伏在你的生活中，比如我们形影不离的手机。芯片是手机的灵魂，那我们这里所说的靶材就是芯片的灵魂，芯片上有很多密密麻麻的···
2024
06-25
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1碳化硼基本性质碳化硼迄今为止已经有近170年的发展历史，其原子结构近年来已被广泛研究，其主要的晶体结构（图1）是12个原子组成的二十面体和在二十面体上的连接的一个三原子链，该结构也被称为六角结构，碳原子和硼原子在六角结构上能互相取代，这也导致了碳化硼具有很多种同分异构体。图1 碳化硼的晶体结构[1]碳化硼晶体结构的特殊性决定了其具有很多优异性能（图2），碳化硼具有极高的硬度（仅次于金刚石和立方氮···
2024
06-20
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碳化硼（B4C）具有高熔点、超高硬度、低密度、耐磨损和耐腐蚀等独特的优异性能，正日益显示出其广阔的应用前景。碳化硼的晶格结构可看作立方点阵在空间对角线方向上延伸在每一角形成的规则二十面体，因而其结构十分稳定。但碳化硼密集的共价键让其自扩散系数极低、晶界迁移困难，导致其烧结性能差，致密化困难、断裂韧性低，极大限制了B4C的应用范围。由此，烧结便成了B4C陶瓷制备中非常关键的一环。碳化硼的晶体结构目前···
2024
06-18
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为提高碳化硅防护装甲材料的抗冲击性能,基于Materials Studio建立的模型仿真研究高温下AL-BN-C体系助剂在SIC中具有良好的热稳定性与结品度。通过实验验证模拟的有效性。以碳化硅微粉作为原料。向原料中分别添加AL-BN-C体系烧结助剂及 AL203-Y203-Mg0 体系烧结助剂,热压烧结后对比2种陶瓷的抗冲击性能,在1950C30 MPa、保温保压60min 条下,Al-BN-C ···
2024
06-13