新闻中心
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随着微电子行业和新材料的迅速发展，电子、磁性、光学、光电和超导薄膜等已经广泛应用于高新技术和工业领域。沉积薄膜的源材料即为靶材。靶材制约着薄膜的物理、力学性能，影响镀膜质量，因而靶材质量评价较为严格，主要应满足如下要求；❶杂质含量低，纯度高。靶材的纯度影响薄膜的均匀性。❷高致密度。高致密度靶材具有导电、导热性好、强度高等优点，使用这种靶材镀膜，溅射功率小，成膜速率高，薄膜不易开裂，靶材使用寿命长，···
2024
09-26
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陶瓷中的SiC介绍 在耐火材料领域之外，SiC在整个20世纪大部分时间里都是一种相对鲜为人知的陶瓷，主要局限于研究实验室，而非工业领域。然而，SiC在21世纪已经大放异彩。原因如下。碳化硅陶瓷皇冠上的璀璨明珠是碳化硅单晶半导体晶片，它的开发历时 50 年，终于在 2001 年实现了商业化。SiC 被誉为 "21 世纪的半导体"。作为一种半导体，它的性能明显优于硅（见下图）。图1···
2024
09-24
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个人和车辆防弹装甲板碳化硼也与其他材料（包括身体或个人装甲）一起用作防弹装甲。该材料的高硬度、高弹性模量和低密度使其具有对高速度射弹的非凡阻止能力。枪口或炮口它可以在军工业中用作枪口。碳化硼极硬且耐磨，不与酸碱反应，耐高/低温，高压，密度≥2.46g / cm3；显微硬度≥3500kgf / mm2，弯曲强度≥400Mpa，熔点2450℃由于碳化硼喷嘴具有上述高耐磨和高硬度的特性，碳化硼喷砂喷嘴将···
2024
09-19
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碳化硼是一种重要的陶瓷材料，其具有密度低、强度大、高温稳定性以及化学稳定性好的特性。以下是碳化硼的一些主要用途：1. 制造陶瓷和高温耐用部件：碳化硼具有极高的硬度和强度，可以使用于制造高温下运转的部件，如发动机喷嘴、涡轮叶片、陶瓷连杆等。2. 制造切削工具：碳化硼具有良好的耐磨性和切削性能，因此可以用于制造高硬度、高强度的切削工具，如钻头、铣刀、切削刀具等。3. 制造磨料：碳化硼的硬度比钢高10倍···
2024
09-10
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SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势：（1）耐高压：SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。（2）耐高频：SiC材料不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的3-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度。（3）耐高温：S···
2024
09-05
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半导体设备需要大量的精密陶瓷部件。由于陶瓷具有高硬度、高弹性模量、高耐磨、高绝缘、耐腐蚀、低膨胀等优点，可用作硅片抛光机、外延/氧化/扩散等热处理设备、光刻机、沉积设备，半导体刻蚀设备，离子注入机等设备的零部件。半导体陶瓷有氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅等，在半导体设备中，精密陶瓷的价值约占16%左右。1、氧化铝(Al₂O₃) 氧化铝在半导体装备中使用最为广泛的精密陶瓷材料。具有材料结构稳定，机械···
2024
08-08
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（1）特种石墨的分类情况按照行业一般惯例，石墨产品从材料组织结构上可以分为中粗颗粒结构石墨和细颗粒结构石墨两种，分别对应中粗结构石墨和细结构石墨，其中，细结构颗粒石墨从成型方法上又可分为模压石墨和等静压石墨。（2）特种石墨行业的产业链情况（1）上游行业特种石墨的生产是资源综合利用的过程，特种石墨的主要原材料是煅后石油焦、沥青焦和煤沥青等，是对石油化工和煤化工行业的废渣进行深加工再利用，是对能源的二···
2024
08-06
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光电子技术是电子信息技术的一个分支，也是半导体技术、微电子技术、材料技术、光学、通信、计算机等多学科交叉产生的新技术。20世纪90年代，美国商务部曾经有一篇文章，指出谁在光电技术方面取得主动权，谁就将在21世纪的尖端科学较量中夺魁。到了21世纪后，光电子技术更是以年倍增的爆炸速度增长，目前已被广泛应用于现实社会中，如与人们日常生活相关的现代通讯技术领域、制造业相关的先进制造技术领域以及重要的国防领···
2024
07-30
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氧化铝陶瓷是一种高强度、高硬度、耐磨损和耐腐蚀的材料，使其成为机器人手臂的理想选择。氧化铝陶瓷手臂可以提高机器人的精度、速度和耐用性。研发挑战研发氧化铝陶瓷手臂涉及以下挑战：**材料加工：**氧化铝陶瓷是一种脆性材料，难以加工。需要专门的加工技术来创建所需的复杂形状和尺寸。**连接：**将氧化铝陶瓷部件连接到其他组件需要特殊的方法，以确保牢固且密封的连接。**摩擦和磨损：**在高负载和高速条件下，···
2024
07-25
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随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。SiC作为第三代半导体以其优越的性能，再掀风潮！碳化硅：更小、更高效的化合物半导体材料碳化硅（SiC）是由碳和硅组成的化合物，因此得名“化合物半导体”，作为第三代半导体材料的佼佼者，以其宽带隙特性，在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨大的潜力，是未来半导体技术发展的重要方向。碳化硅能够在较薄的耐压层···
2024
07-23