新闻中心
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行业新知近日，山东理工大学Lijuan Zhang带领的团队在《Chemical Engineering Journal》发表了题为3D printed B4C-based honeycomb ceramic composite and its potential application in three-dimensional armor structure的研究，研究的主要内容是开发一种基于碳···
2024
11-07
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碳化硅介绍碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、···
2024
11-05
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一、氮化硼是什么材料？氮化硼是一种先进的合成陶瓷材料。“硼”在矿物矿石-硼砂中被大量发现，通过与氮合成产出氮化硼，具有耐火性能。氮化硼有粉末、固体、液体和气溶胶喷雾形式。在其固体形式中，氮化硼通常被称为“白色石墨”，因为它具有与石墨相似的微观结构。然而，与石墨不同，氮化硼是一种优良的电绝缘体，具有较高的氧化温度。它具有高导热性和良好的抗热震性，并且可以很容易地加工成几乎任何形状的精密公差。氮化硼是···
2024
10-31
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作为第三代半导体的主要代表之一，碳化硅具有耐高压、耐高温，热导率高、导通电阻低，开关速度快等优点。与硅相比，碳化硅拥有更为优越的电气特性。因碳化硅性能更全面，而被广泛应用。可生产碳化硅防弹陶瓷、机械密封件、轴承轴套等，经过碳-碳复合，材料性能增强后可用于航空航天、军工核能等行业，是智能电网、新能源汽车、5G应用等新兴产业的重要半导体材料。碳化硅发展背景碳化硅被正式引爆获得广泛关注的是2018年，马···
2024
10-29
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碳化硼是一种非氧化陶瓷材料，因其具有熔点高、硬度高、密度低、热稳定性好，抗化学侵蚀能力强和中子吸收能力强等特点而被广泛应用于能源、军事、核能以及防弹领域。碳化硼又称黑钻石，是仅次于金刚石和立方氮化硼的第三硬材料，故成为超硬材料家族中的重要成员。 目前碳化硼防弹材料主要通过烧结法制备，不过碳化硼是共价键很强的陶瓷材料，共价键占90%以上，而且碳化硼的塑性差，品界移动阻力很大，固态时表面张力很小，从而···
2024
10-24
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在大家的印象里，陶瓷是易碎品。但经过现代科技加工后，陶瓷“摇身一变”，成为了一种坚硬、高强度的新材料，尤其是在对材料有特殊物理性能要求的防弹领域，陶瓷更是大放异彩，成为非常热门的防弹材料。陶瓷材料的防弹原理装甲防护的基本原理是消耗射弹能量、使射弹减速并达到无害。绝大部分传统的工程材料，如金属材料通过结构发生塑性变形来吸收能量，而陶瓷材料则是通过微破碎过程吸收能量。防弹陶瓷的吸能过程大致可分为3个阶···
2024
10-22
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半导体材料是制造计算机芯片和其他电子器件的关键材料，而靶材是半导体薄膜沉积技术中的重要材料之一。本文将介绍靶材的种类、制备工艺以及在半导体领域的应用。靶材是制备半导体材料中不可或缺的重要材料之一。它是指用于溅射制备薄膜的材料，通常为金属、合金、氧化物等。在制备半导体薄膜时，靶材材料被加热至高温后，原子从材料表面蒸发并沉积在衬底上，形成所需的薄膜。靶材的质量直接影响到制备薄膜的成分和质量，从而影响到···
2024
10-17
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一、SiC材料简介：1、材料特性概述:第三代半导体称做化合物半导体，其禁带宽度大约为 3.2eV，是硅基半导体材料禁带宽度的三倍（硅基为 1.12eV），因此也称作宽禁带半导体。硅基半导体器件在一些高温高压高频应用场景出现了难以突破的物理极限，通过器件结构调整已无法满足需求，以SiC、GaN等为代表的第三代半导体材料应运而生。2、SiC器件应用：基于其特殊的性能，SiC器件将在高温高压高频领域逐步···
2024
10-16
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2024SiC半导体晶体生长技术研讨会在四川成都顺利召开并圆满闭幕。会议由材能时代联合成都方大炭炭复合材料股份有限公司共同主办。由成都方大炭炭复合材料股份有限公司冠名晚宴，山西烁科晶体有限公司联合主办，四川瑞得鼎欣新材料有限公司、宁波弘信新材料科技有限公司、辽阳坤鼎石墨制品有限公司、成都阿泰克特种石墨有限公司、常州京洋半导体材料科技有限公司、浙江亿值旺新材料科技有限公司协办。会议诚挚邀请SiC半导···
2024
10-12
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硅片是半导体的基础，一般芯片像搭建房子一样，在硅片上把各种cmos搭建起来，于是形成集成电路也就是芯片。半导体最基础的原料，电子级多晶硅料，他是作为芯片的基础材料硅片的原材料。所以我们需要把多晶硅制成单晶硅。一般制成单晶硅棒的方法是提拉法，提拉法是一种工业上成熟的制造单晶的方法，主要的步骤是先把多晶硅在石英大坩埚里熔化，然后用一个小的硅单晶用线掉着放入熔化的多晶硅里，一边旋转一边往上拉，可以得到一···
2024
10-10