行业新闻
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在科技飞速发展的今天，半导体材料领域正经历着一场深刻的变革。第三代宽禁带半导体材料碳化硅（SiC），凭借其卓越的物理特性，在众多高科技应用中崭露头角，备受全球瞩目。特性卓越，应用广泛SiC 之所以能在半导体舞台上大放异彩，首先得益于其出色的宽带隙特性。其宽带隙范围在 2.3 - 3.3 eV 之间，这一特性使其成为制造高频、大功率电子器件的理想之选。就像为电子信号搭建了一条宽阔的高速公路，能够让高···
2024
12-12
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近几年，随着国家政策的调整，半导体行业迅速发展，产业规模急速增大，半导体制造设备持续向精密化、复杂化演变。由于陶瓷具有高硬度、高弹性模量、高耐磨、高绝缘、耐腐蚀、低膨胀等优点，可用作硅片抛光机、外延/氧化/扩散等热处理设备、光刻机、沉积设备，半导体刻蚀设备，离子注入机等设备的零部件，因此精密陶瓷部件的研发生产直接影响半导体产业发展，其制备技术要求也越来越高。通常半导体设备用陶瓷有氧化铝、氮化硅、氮···
2024
12-10
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未来随着光伏逆变器顺应2030年碳达峰、2060年碳中和目标的提出，意味着以太阳能光伏发电为主要推动力的新能源时代已经来临。目前全球光伏产业发展前景广阔，而中国处于光伏产能制造业的前端，形成了全球最完善的光伏产业链，占全球光伏供应能力的80%以上。而光伏也是先进陶瓷的一大应用市场，那么先进陶瓷材料在光伏领域中又会有哪些应用呢？以下列举几个例子。陶瓷覆铜板，光伏逆变器的高效可靠选择光伏逆变器是光伏···
2024
12-05
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钨及其合金因其优异的高温性能、抗辐照性能和机械性能，成为核聚变反应堆中关键部件的理想候选材料。本文综述了钨及钨合金在核聚变领域的应用研究进展，重点探讨其在等离子体-材料相互作用、热负荷承受能力和辐照损伤方面的表现。通过分析当前研究成果和面临的技术挑战，本文提出了未来研究方向和发展趋势，为推动钨及钨合金在核聚变领域的应用提供参考。1. 引言1.1 核聚变概述核聚变是一种通过将轻原子核结合成较重原子核···
2024
12-03
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碳化硼是一种具有金属光泽的黑色晶体，又名黑钻石，属于无机非金属材料。目前大家对碳化硼这种材料的熟知可能是由于防弹装甲的应用，因为它在陶瓷材料中密度最低，具有弹性模量较高、硬度高等优势，可以达到很好的利用微破碎来吸收射弹能量的效果，同时尽量减轻负重。但其实，碳化硼还有许多其他的独特性质，可以使其在磨料、耐火材料、核工业、航空航天等领域发挥重要作用。碳化硼碳化硼的性质在物理性质方面，碳化硼的硬度仅在金···
2024
11-28
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PART/1碳化硅定义碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅是应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。中国工业生产的碳化硅分为黑色···
2024
11-26
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碳化硼基本性质碳化硼是一种无机物，化学式为B₄C，通常为灰黑色微粉,硬度仅次于金刚石和立方氮化硼。碳化硼的晶体结构主要为斜方六面体结构，包括B4C、B13C2、B12C3等，其中B4C是匀相区较为稳定的化合物。碳化硼可以吸收大量的中子而不会形成任何放射性同位素，因此它在核能发电场里它是很理想的中子吸收剂。此外碳化硼具有密度低、强度大、高温稳定性以及化学稳定性好的特点。在耐磨材料、陶瓷增强相，轻质装···
2024
11-19
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纳米碳化硼粉主要特点 纳米碳化硼、超细碳化硼粉通过可变电流激光离子束气相法制备，产品纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、高表面活性，松装密度低，是一种人工合成的超硬质材料，硬度只次于金刚石，莫氏硬度9.46，显微硬度5600—6200Kg/mm2，比重2.52g/cm3，熔点2250℃，与酸、碱溶液不起反应，具有高化学位、中子吸收、耐磨及半导体导电性。是对酸稳定的物质之一，在浓或稀的酸或碱水溶液···
2024
11-14
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高纯氧化铝陶瓷是以高纯超细氧化铝为主要原料，α-Al2O3为主要晶相组成的重要的陶瓷材料。高纯氧化铝陶瓷因具有机械强度高、硬度大、耐高温、耐腐蚀等优良性能在机械、电子、集成电路、医学等领域得到广泛的应用。半导体设备精密部件据了解，半导体设备中会用到大量的精密陶瓷零部件，而这些陶瓷部件能占到半导体设备成本的10%以上，其中氧化铝陶瓷是较为常用的精密部件用陶瓷材料。抛光板，来源：日本京瓷例如在半导体刻···
2024
11-12
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碳化硅介绍碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、···
2024
11-05