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在大家的印象里，陶瓷是易碎品。但经过现代科技加工后，陶瓷“摇身一变”，成为了一种坚硬、高强度的新材料，尤其是在对材料有特殊物理性能要求的防弹领域，陶瓷更是大放异彩，成为非常热门的防弹材料。陶瓷材料的防弹原理装甲防护的基本原理是消耗射弹能量、使射弹减速并达到无害。绝大部分传统的工程材料，如金属材料通过结构发生塑性变形来吸收能量，而陶瓷材料则是通过微破碎过程吸收能量。防弹陶瓷的吸能过程大致可分为3个阶···
2024
10-22
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半导体材料是制造计算机芯片和其他电子器件的关键材料，而靶材是半导体薄膜沉积技术中的重要材料之一。本文将介绍靶材的种类、制备工艺以及在半导体领域的应用。靶材是制备半导体材料中不可或缺的重要材料之一。它是指用于溅射制备薄膜的材料，通常为金属、合金、氧化物等。在制备半导体薄膜时，靶材材料被加热至高温后，原子从材料表面蒸发并沉积在衬底上，形成所需的薄膜。靶材的质量直接影响到制备薄膜的成分和质量，从而影响到···
2024
10-17
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一、SiC材料简介：1、材料特性概述:第三代半导体称做化合物半导体，其禁带宽度大约为 3.2eV，是硅基半导体材料禁带宽度的三倍（硅基为 1.12eV），因此也称作宽禁带半导体。硅基半导体器件在一些高温高压高频应用场景出现了难以突破的物理极限，通过器件结构调整已无法满足需求，以SiC、GaN等为代表的第三代半导体材料应运而生。2、SiC器件应用：基于其特殊的性能，SiC器件将在高温高压高频领域逐步···
2024
10-16
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2024SiC半导体晶体生长技术研讨会在四川成都顺利召开并圆满闭幕。会议由材能时代联合成都方大炭炭复合材料股份有限公司共同主办。由成都方大炭炭复合材料股份有限公司冠名晚宴，山西烁科晶体有限公司联合主办，四川瑞得鼎欣新材料有限公司、宁波弘信新材料科技有限公司、辽阳坤鼎石墨制品有限公司、成都阿泰克特种石墨有限公司、常州京洋半导体材料科技有限公司、浙江亿值旺新材料科技有限公司协办。会议诚挚邀请SiC半导···
2024
10-12
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硅片是半导体的基础，一般芯片像搭建房子一样，在硅片上把各种cmos搭建起来，于是形成集成电路也就是芯片。半导体最基础的原料，电子级多晶硅料，他是作为芯片的基础材料硅片的原材料。所以我们需要把多晶硅制成单晶硅。一般制成单晶硅棒的方法是提拉法，提拉法是一种工业上成熟的制造单晶的方法，主要的步骤是先把多晶硅在石英大坩埚里熔化，然后用一个小的硅单晶用线掉着放入熔化的多晶硅里，一边旋转一边往上拉，可以得到一···
2024
10-10
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随着微电子行业和新材料的迅速发展，电子、磁性、光学、光电和超导薄膜等已经广泛应用于高新技术和工业领域。沉积薄膜的源材料即为靶材。靶材制约着薄膜的物理、力学性能，影响镀膜质量，因而靶材质量评价较为严格，主要应满足如下要求；❶杂质含量低，纯度高。靶材的纯度影响薄膜的均匀性。❷高致密度。高致密度靶材具有导电、导热性好、强度高等优点，使用这种靶材镀膜，溅射功率小，成膜速率高，薄膜不易开裂，靶材使用寿命长，···
2024
09-26
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陶瓷中的SiC介绍 在耐火材料领域之外，SiC在整个20世纪大部分时间里都是一种相对鲜为人知的陶瓷，主要局限于研究实验室，而非工业领域。然而，SiC在21世纪已经大放异彩。原因如下。碳化硅陶瓷皇冠上的璀璨明珠是碳化硅单晶半导体晶片，它的开发历时 50 年，终于在 2001 年实现了商业化。SiC 被誉为 "21 世纪的半导体"。作为一种半导体，它的性能明显优于硅（见下图）。图1···
2024
09-24
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个人和车辆防弹装甲板碳化硼也与其他材料（包括身体或个人装甲）一起用作防弹装甲。该材料的高硬度、高弹性模量和低密度使其具有对高速度射弹的非凡阻止能力。枪口或炮口它可以在军工业中用作枪口。碳化硼极硬且耐磨，不与酸碱反应，耐高/低温，高压，密度≥2.46g / cm3；显微硬度≥3500kgf / mm2，弯曲强度≥400Mpa，熔点2450℃由于碳化硼喷嘴具有上述高耐磨和高硬度的特性，碳化硼喷砂喷嘴将···
2024
09-19
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碳化硼是一种重要的陶瓷材料，其具有密度低、强度大、高温稳定性以及化学稳定性好的特性。以下是碳化硼的一些主要用途：1. 制造陶瓷和高温耐用部件：碳化硼具有极高的硬度和强度，可以使用于制造高温下运转的部件，如发动机喷嘴、涡轮叶片、陶瓷连杆等。2. 制造切削工具：碳化硼具有良好的耐磨性和切削性能，因此可以用于制造高硬度、高强度的切削工具，如钻头、铣刀、切削刀具等。3. 制造磨料：碳化硼的硬度比钢高10倍···
2024
09-10
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SiC作为第三代半导体材料具备诸多显著优势：（1）耐高压：SiC材料相比于Si材料具有10多倍的击穿场强，因此可以通过更低的电阻率和更薄的漂移层实现更高的击穿电压，相同的耐压值下，SiC功率模块导通电阻/尺寸仅为Si的1/10，功率损耗大幅减少。（2）耐高频：SiC材料不存在电流拖尾现象，能够提高元件的开关速度，是硅（Si）开关速度的3-10倍，从而适用于更高频率和更快的开关速度。（3）耐高温：S···
2024
09-05