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钨靶材通常由高纯度的钨粉烧结成型，具有高密度、高熔点和良好的耐腐蚀性能，可用于高能量粒子束的产生和加速。在医学影像学中，钨靶材通常用于生产X射线和γ射线，用于诊断和治疗各种疾病。钨靶材还可以用于核反应堆中的燃料元件和各种高温应用中。我们还可以提供钨丝、钨块、钨棒、钨粉等钨靶材特征钨靶材形状：平面靶 异型定制钨靶材纯度：3N5钨靶材尺寸：按图纸加工或其他者定制钨靶材制备工艺将钨粉末放置入真空包套后进···
2025
04-17
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Al(OH)3、一水软铝石γ-AlO(OH)等;属于α型的有一水硬铝石α-AlO(OH)等。存在于自然界中的氧化铝称为刚玉(α-Al2O3)，是在火山爆发过程中形成的。它在岩石中呈无色的结晶，也可与其他氧化物杂质(氧化铬和氧化铁等)形成带色的结晶，红色的称为红宝石，蓝色的称为蓝宝石。工业氧化铝是各种氧化铝水合物经加热分解的脱水产物，氧化铝生产中一般将氧化铝分为砂状、面粉状和中间状。安息角是这种分类···
2025
04-10
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氮化硅（VK-SN100,50-100nm）是一种无机物，化学式为Si3N4，不溶于水，分子量140.283，灰色或者灰白色；属高温难溶化合物，无熔点，抗高温蠕变能力强，溶解性除氢氟酸与热磷酸外，它不与其他无机酸反应，抗腐蚀能力强，氮化硅（Si3N4）存在有3种结晶结构，分别是α、β和γ三相。α和β两相是Si3N4最常出现的型式，且可以在常压下制备。γ相只有在高压及高温下，才能合成得到，它的硬度可···
2025
04-10
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高纯碳化硅的应用领域高纯碳化硅的应用领域主要包括：新能源汽车：高纯碳化硅在电动汽车中用于电机驱动系统和车载充电系统，提高整车的能耗效率、尺寸紧凑性和续航里程。轨道交通：碳化硅功率器件在城市轨道交通系统中用于牵引变流器，提高装置的效率，降低电能损耗。光伏发电：碳化硅材料用于光伏逆变器，提高转换效率，降低能量损耗，延长设备寿命。智能电网：碳化硅功率开关在高压、高温、高频场合中替代硅基器件，降低开关损失···
2025
04-01
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碳化硼具有高硬度、低密度、耐磨损、耐腐蚀、良好的中子吸收性能等特点，可制成以下多种制品：答军事防护类防弹衣01碳化硼陶瓷硬度高、质量轻，能有效抵御多种轻武器弹药的攻击，减轻士兵负担，提高作战灵活性，如美军的 “拦截者” 防弹衣就采用了碳化硼陶瓷防护插板。防弹头盔02可以为士兵提供头部防护，抵抗子弹和弹片的冲击，在保证防护性能的同时，相比传统金属头盔更轻便，佩戴更舒适。防弹衣头盔答工业耐磨类研磨工具···
2025
03-28
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半导体用溅射靶材半导体芯片行业是金属溅射靶材的主要应用领域之一，也是对靶材的成分、组织和性能要求最高的领域。具体来讲，半导体芯片的制作过程可分为硅片制造、晶圆制造和芯片封装等三大环节，其中，在晶圆制造和芯片封装这两个环节中都需要用到金属溅射靶材。半导体芯片用金属溅射靶材的作用，就是给芯片上制作传递信息的金属导线。具体的溅射过程：首先利用高速离子流，在高真空条件下分别去轰击不同种类的金属溅射靶材的表···
2025
03-25
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近年来，随着5G通信、航空航天、智能汽车等领域的迅速发展，功率模块的应用越来越广泛，功率模块芯片也逐渐趋于小型化、集成化及高频化。这也就意味着，芯片在工作时，要产生更多的热量，这些积聚的热量使电路的工作温度急剧上升，高温环境不仅会影响芯片的工作效率，还会减少其使用寿命。根据相关统计，在众多的失效原因中，由于热损耗导致的失效占到50%。因此用于封装功率模块的基板的散热性能在整个电子封装系统中非常关键···
2025
03-18
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氧化物陶瓷作为结构材料，不仅在机械、化工、电子、能源、环保、航天等领域作为耐热、耐磨损、耐腐蚀、绝缘和抗氧化等结构材料得到广泛使用；而且一些氧化物陶瓷，如Al2O3、ZrO2、云母微晶玻璃陶瓷，由于其良好的生物相容性、化学稳定性、耐磨性及强度匹配性，因此自二十世纪七十年代以来一直作为生物陶瓷大量使用。例如用作人工关节、人工骨螺钉、人工中耳骨、牙科移植物等。特别是具有高强度、高韧性、耐磨损的Al2O···
2025
03-13
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SiC是一种典型共价键结合的化合物，其原子扩散迁移率很低，晶界能与表面能之比很高，在无烧结助剂的作用下，即使经过高温烧结也很难获得致密材料。本文中概述了SiC材料晶体结构及应用现状，综述了SiC 陶瓷材料烧结工艺特点和目前研究进展，并讨论了SiC陶瓷材料的烧结助剂种类及助烧机制，指出了高性能SiC陶瓷材料制备的局限性，并对未来发展方向进行了展望。碳化硅（SiC）陶瓷材料由于具有硬度大、强度高、热膨···
2025
03-11
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针对碳化硅陶瓷（SiC）质量提升的系统化策略，涵盖材料制备、性能优化与应用
1. 原料与制备工艺优化高纯度原料控制采用**气相合成法（如Acheson法）**制备高纯度β-SiC粉末（纯度＞99.9%），减少金属杂质（Fe、Al等）对高温性能的影响。引入纳米级SiC粉体（粒径＜100nm），提升烧结活性，降低致密化温度。先进烧结技术放电等离子烧结（SPS）：在1500-1800℃、50-100MPa下快速致密化，抑制晶粒异常长大，提升硬度（＞28GPa）。热等静压（HIP···
2025
03-06