一、概括

C-SiC（碳化硅）溅射靶材 是通过高温合成工艺制备的 超硬陶瓷材料（化学式 SiC），专为物理气相沉积（PVD）技术设计。其共价键结构赋予其超越常规材料的极端性能组合——同时具备金刚石的硬度、石墨的润滑性和陶瓷的耐腐蚀性，成为航空航天、核能、超精密加工等尖端领域不可替代的涂层解决方案。

二、 性能特点

1. 极端环境耐受性

• 超高温稳定性：耐受 1600℃ 以上高温，在氧化/等离子体环境中无性能衰减；

• 抗热震性：热膨胀系数低至4.0×10⁻⁶/K，急冷急热环境下不破裂；

• 核级抗辐照：中子辐照后结构完整性保持率 >95%；

2. 超强机械与化学防护

• 地表最强硬度：薄膜硬度 2800-3300 HV，耐磨性提升 5-10倍；

• 终极化学惰性：耐熔融金属（如铝液）、浓酸/碱腐蚀，寿命为常规涂层的10倍以上；

3. 智能功能可设计性

• 电学性能精准调控：通过掺杂（N型:氮，P型:硼）实现 电阻率从10⁵ Ω·cm（绝缘）到10⁻² Ω·cm（导电） 的连续调节；

• 热-电协同优化：高导热（490 W/m·K）与可调电阻组合，适配功率器件散热与绝缘需求；

4. 高能效溅射工艺

• 低功率高沉积率：射频溅射功率 <5 W/cm² 时仍保持稳定成膜；

• 零毒性工艺：溅射过程无有害副产物；

三、应用领域

1. 极限热/化学环境防护

• 火箭发动机喷管涂层：抵御 3000℃ 超音速燃气流冲刷；

• 核反应堆第一壁装甲：抗中子辐照损伤与氦脆（仅SiC可满足）；

2. 超精密制造革命

• 纳米级切削工具镀膜：实现硅晶圆 <1nm 切削刃精度（依赖SiC超低磨损率）；

• 光刻机部件耐磨层：延长EUV光学元件寿命 >30万小时；

3. 下一代半导体赋能

• SiC 功率芯片钝化层：击穿场强 >3 MV/cm，使器件耐压提升 5倍；

• 量子器件导热基膜：利用其超高导热性将量子比特散热效率提升 80%；