一、介绍

CrSi合金靶材是由铬（Cr）和硅（Si）通过精确配比形成的高纯度合金溅射靶材（通常硅含量在10–50 at%范围内），专用于物理气相沉积（PVD）工艺（如磁控溅射）。其独特的半导体与金属复合特性，使其在半导体集成电路、功能薄膜传感器、高温防护涂层等领域具有关键应用价值。

二、性能特点

1.优异的薄膜功能特性

• 可控电阻特性: CrSi薄膜电阻率范围宽（10⁻⁴–10³ Ω·cm），可通过成分调整实现高精度电阻制备。

• 高热稳定性: 在高温环境下（≤800℃）仍保持稳定的电学性能，适用于高温器件。

• 强附着与耐腐蚀性: 与陶瓷、硅基板结合力强，且耐酸性和氧化环境腐蚀。

2.高效溅射性能

• 均匀合金结构: 高密度（≥5.2 g/cm³）、低气孔率，保证溅射膜层成分均匀一致。

• 低溅射缺陷: 高纯度（≥99.9%）、低杂质含量（氧含量≤600 ppm），减少成膜缺陷。

• 良好的结晶调控能力: 通过工艺参数可调控薄膜晶态/非晶态结构，适应不同应用需求。

3.工艺与集成兼容性

• 低温成膜能力: 可在≤200℃下沉积，兼容对温度敏感的硅基半导体工艺。

• 刻蚀与图形化友好: 与干法/湿法刻蚀工艺兼容，图形精度高，适用于微细加工。

• 与半导体工艺兼容: 无污染元素（如钠、钾），符合集成电路制造要求。

三、应用领域

1.半导体与微电子

• 薄膜电阻材料: 用于高精度薄膜电阻器（如贴片电阻、集成电路负载电阻），提供稳定的温度系数（TCR）。

• 扩散阻挡层: 在铜互连结构中抑制铜扩散，提高器件可靠性。

• 相变存储器: 作为Ge-Sb-Te系相变存储器的电极接触层。

2.传感器与功能器件

• 温度传感器: CrSi薄膜用于制备高灵敏度温度传感器（如汽车电子、工业控温系统）。

• 应变传感层: 在MEMS器件中作为压阻材料，实现机械应力信号转换。

• 光电探测器: 用于红外探测器的接触电极与信号传输层。

3.高温与防护涂层

• 高温抗氧化涂层: 在航空航天发动机部件或高温工具表面形成保护膜（使用温度≤850℃）。

• 耐磨涂层: 提升精密模具、切削刀具的表面硬度与使用寿命。

4.新能源与光学技术

• 太阳能电池电极: 作为薄膜太阳能电池的背接触层或透明导电氧化物（TCO）支撑层。

• 光学调控薄膜: 用于红外光学器件的反射层或吸收调控层。

5.数据存储与先进封装

• 磁记录头材料: 在硬盘磁头中作为引线或屏蔽层材料。

• 晶圆级封装: 用于U-Chip、TSV等先进封装技术的电阻与隔离层。