MoSi 靶材

MoSi 靶材

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详细说明

 

 

一、概括

MoSi合金靶材是由高纯度钼(Mo)和硅(Si)通过精确配比制成的溅射靶材,专用于物理气相沉积(PVD)工艺(如磁控溅射)。其独特的电学性能、高温稳定性和良好的薄膜均匀性,使其在半导体集成电路、先进显示技术、高温防护涂层和光学功能薄膜等领域具有重要应用。

二、性能特点

1.优异的薄膜特性

  • 低电阻率: MoSi薄膜具有较低的电阻率(通常为100–500 μΩ·cm),适用于高性能导电层需求。

  • 高温稳定性: 在高温环境下仍能保持结构稳定,抗氧化性能强,可在高温工艺中保持性能。

  • 良好的附着性: 与硅基、玻璃、氧化物等基材结合力强,适合作为过渡层或功能层。

2.高效的溅射性能

  • 高溅射速率与均匀性: 靶材密度高(≥6.0 g/cm³),成分均匀,溅射成膜均匀致密,膜厚不均匀性可控制在≤5%。

  • 低颗粒产生: 高纯度原料(≥99.95%)和精细的晶粒控制(通常≤50μm)有效减少溅射过程中的颗粒缺陷。

  • 良好的工艺兼容性: 适用于DC磁控溅射、RF溅射等多种PVD工艺。

3.化学与功能兼容性

  • 优异的抗氧化与耐腐蚀性: 在高温空气中表面可形成致密的SiO₂保护层,阻止进一步氧化。

  • 刻蚀性能优良: 与常见光刻工艺兼容,干法及湿法刻蚀均可实现高精度图形化。

  • 可调整的硅含量: 通过调整Mo/Si比例,可适配不同应用场景的电学与光学需求。

三、应用领域

1.半导体与微电子

  • 栅极与互连材料: 用于集成电路中的栅电极和局部互连层,尤其适用于高温工艺。

  • 扩散阻挡层: 有效阻挡金属原子扩散,提高器件可靠性与寿命。

2.光掩模与平板显示

  • 相移掩模与EUV掩模: 用作先进光刻技术中的遮光层和反射层材料,支持高分辨率图形化。

  • TFT阵列: 在OLED和LCD显示面板中用作栅极和信号线材料,兼具导电性与稳定性。

3.高温与防护涂层

  • 高温抗氧化涂层: 用于航空发动机部件、高温炉元件等,在高温环境下提供抗氧化保护。

  • 耐磨与防腐蚀涂层: 应用于工具、模具和关键机械部件的表面强化。

4.光学与能源领域

  • 反射镜与光学涂层: 在极紫外(EUV)和深紫外(DUV)光学系统中用作反射膜和阻挡层。

  • 太阳能电池: 作为薄膜太阳能电池中的背电极或窗口层材料,提升转换效率与长期稳定性。

5.传感器与功能器件

  • MEMS器件: 用于微机电系统中的结构层与电极材料,具备良好的机械和电学性能。

  • 红外光学元件: 适配于红外探测器和成像系统的功能性薄膜。



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