一、概括

采用高纯氮化铝陶瓷材料精密烧结而成，专用于物理气相沉积（PVD）工艺（尤其是溅射镀膜），用于沉积高性能氮化铝薄膜的功能性核心部件。

二、性能特点

1.优异的热学与电学性能

•  高热导率：接近金属铝，显著优于氧化铝（Al2O3），能高效传导溅射过程中的热量，避免靶面局部过热导致的裂纹或成分偏析；

•  高绝缘性：适用于高频、高功率电子器件的绝缘层沉积，避免漏电流风险；

•  低热膨胀系数：与硅、碳化硅、砷化镓等半导体材料接近匹配，减少薄膜热应力导致的脱层或龟裂；

2.卓越的化学稳定性与溅射特性

•  高纯度：严格控制氧、碳、金属杂质含量，确保薄膜介电性能与界面质量；

•  耐等离子体侵蚀：在射频（RF）或直流（DC）溅射中耐受高能离子轰击，靶面腐蚀均匀，寿命长；

•  低颗粒释放：致密化烧结工艺减少溅射过程中的微颗粒污染，提升薄膜良率；

3.精密加工与微观结构可控性

•  可调控晶粒取向：通过烧结工艺优化实现晶面择优取向，提升薄膜的C轴取向一致性（对声波器件、压电器能关键）；

•  高表面平整度：精密抛光满足高均匀性镀膜需求，避免电弧放电；

•  大尺寸与复杂形状定制：支持圆靶、矩形靶及异形结构，适配各类溅射设备腔体；

三、应用领域

1.先进半导体制造

•  热管理薄膜：CPU/GPU芯片的绝缘散热层（替代Al₂O₃）、功率器件（IGBT、SiC MOSFET）的钝化层与导热界面；

•  高频器件介质层：5G/6G射频滤波器（BAW/FBAR）、微波集成电路（MMIC）的压电绝缘层；

•  晶圆级封装（WLP）：用于TSV（硅通孔）绝缘隔离层，提供高导热+高绝缘双重功能；

2. 光电与显示技术

•  LED/LD芯片散热基板：沉积于蓝宝石/Si衬底，提升GaN基器件的散热效率与寿命；

•  Micro-LED巨量转移键合层：作为临时键合介质，兼具高导热与易激光剥离特性；

3. 声学与传感器

•  声表面波（SAW）/体声波（BAW）滤波器：压电薄膜核心材料，用于手机/基站射频前端模组；

•  MEMS传感器绝缘层：高温压力/惯性传感器的耐热绝缘薄膜；

4. 新兴领域

•  固态电池电解质层：高离子电导率氮化铝薄膜的研发（需掺杂优化）；