一、概括

    采用高纯碳化硅陶瓷经精密烧结、加工而成的固态源材料，专用于物理气相沉积（PVD）工艺中。通过离子轰击靶材表面，溅射出SiC原子/分子，在基片（如晶圆、显示面板）表面沉积形成碳化硅薄膜的核心功能材料。

二、 性能特点

1.超高纯度与成分可控性：

•  纯度 ≥4N（99.99%）：确保沉积薄膜无杂质污染，满足半导体级工艺要求;

•  化学计量比精准（Si:C=1:1）：通过烧结工艺控制，保障薄膜化学稳定性与电学性能一致性;

•  低氧含量（<500ppm）：避免薄膜氧化缺陷，提升界面质量;

2.极端环境稳定性

•  耐高温性：熔点＞2700℃，在PVD高能等离子体轰击下无熔融变形;

•  抗等离子体侵蚀：表面腐蚀率远低于金属靶材，寿命提升3-5倍，减少停机换靶频率;

•  化学惰性：抵抗Ar、N₂、O₂等工艺气体腐蚀，不产生副产物污染;

3.卓越的溅射性能

•  高溅射速率：致密度＞98%的SiC靶材提供稳定溅射流，提升产能;

•  低颗粒产生：纳米级晶粒结构与精密抛光表面，抑制微弧放电和颗粒溅射;

•  均匀溅射刻蚀：晶体取向优化设计，确保靶面刻蚀均匀性，延长利用率;

4. 机械与热学可靠性

•  高硬度（Hv＞2500）：耐受装夹应力与背面冷却热冲击，抗开裂;

•  低热膨胀系数（CTE 4.5×10⁻⁶/K）：与铜/钼背板匹配性好，减少热循环分层风险;

•  高热导率（120 W/mK）：高效散热，避免局部过热导致的成分偏析;

三、 应用领域

1.先进半导体制造

•  功率器件：SiC薄膜用于Schottky二极管钝化层、MOSFET栅介质，提升耐压与可靠性;GaN HEMT器件中的表面钝化层，抑制电流崩塌;

•  第三代半导体外延：作为缓冲层/模板层，生长高质量SiC外延片;

 2. 显示技术

•  OLED/LCD： TFT背板中的绝缘屏障层（替代SiO₂），柔性显示封装阻隔层;

 3. 功能薄膜与涂层

•  耐磨涂层：刀具、轴承表面沉积SiC膜;

•  核反应堆包壳涂层：SiC复合镀层;

•  航天热防护：发动机部件SiC抗氧化涂层;

 4. 光学与传感器

•  红外窗口增透膜：SiC薄膜用于3-5μm波段红外光学元件;

•  MEMS传感器钝化层：耐腐蚀介质接触（生物芯片、化学传感器）;