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半导体设备需要大量的精密陶瓷部件。由于陶瓷具有高硬度、高弹性模量、高耐磨、高绝缘、耐腐蚀、低膨胀等优点，可用作硅片抛光机、外延/氧化/扩散等热处理设备、光刻机、沉积设备，半导体刻蚀设备，离子注入机等设备的零部件。半导体陶瓷有氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅等，在半导体设备中，精密陶瓷的价值约占16%左右。1、氧化铝(Al₂O₃) 氧化铝在半导体装备中使用最为广泛的精密陶瓷材料。具有材料结构稳定，机械···
2024
08-08
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（1）特种石墨的分类情况按照行业一般惯例，石墨产品从材料组织结构上可以分为中粗颗粒结构石墨和细颗粒结构石墨两种，分别对应中粗结构石墨和细结构石墨，其中，细结构颗粒石墨从成型方法上又可分为模压石墨和等静压石墨。（2）特种石墨行业的产业链情况（1）上游行业特种石墨的生产是资源综合利用的过程，特种石墨的主要原材料是煅后石油焦、沥青焦和煤沥青等，是对石油化工和煤化工行业的废渣进行深加工再利用，是对能源的二···
2024
08-06
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光电子技术是电子信息技术的一个分支，也是半导体技术、微电子技术、材料技术、光学、通信、计算机等多学科交叉产生的新技术。20世纪90年代，美国商务部曾经有一篇文章，指出谁在光电技术方面取得主动权，谁就将在21世纪的尖端科学较量中夺魁。到了21世纪后，光电子技术更是以年倍增的爆炸速度增长，目前已被广泛应用于现实社会中，如与人们日常生活相关的现代通讯技术领域、制造业相关的先进制造技术领域以及重要的国防领···
2024
07-30
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氧化铝陶瓷是一种高强度、高硬度、耐磨损和耐腐蚀的材料，使其成为机器人手臂的理想选择。氧化铝陶瓷手臂可以提高机器人的精度、速度和耐用性。研发挑战研发氧化铝陶瓷手臂涉及以下挑战：**材料加工：**氧化铝陶瓷是一种脆性材料，难以加工。需要专门的加工技术来创建所需的复杂形状和尺寸。**连接：**将氧化铝陶瓷部件连接到其他组件需要特殊的方法，以确保牢固且密封的连接。**摩擦和磨损：**在高负载和高速条件下，···
2024
07-25
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随着全球对于电动汽车接纳程度的逐步提升，碳化硅（SiC）在未来十年将会迎来全新的增长契机。SiC作为第三代半导体以其优越的性能，再掀风潮！碳化硅：更小、更高效的化合物半导体材料碳化硅（SiC）是由碳和硅组成的化合物，因此得名“化合物半导体”，作为第三代半导体材料的佼佼者，以其宽带隙特性，在高温、高频、高效率和高功率电子器件中展现出巨大的潜力，是未来半导体技术发展的重要方向。碳化硅能够在较薄的耐压层···
2024
07-23
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1前言集成电路制造关键技术及装备主要包括光刻技术及光刻设备、薄膜生长技术及装备、化学机械抛光技术及装备、高密度后封装技术及装备等，均涉及高效率、高精度、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求[1]。先进陶瓷部件的强度、硬度很高，对高温、高磨损、高腐蚀等环境下具有强大的抵抗能力，在某些工况下比金属或者高分子材料具有不可替代的优势。随着现代工业技术的发展，对精···
2024
07-18
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碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能，在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比，立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7 eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管，可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展···
2024
07-16
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在追求高性能电子器件的今天，碳化硅以其卓越的物理和电学性能，成为了制造电力电子器件的理想材料。然而，碳化硅衬底在抛光工艺上还面临着成本、环保等方面的难题，一直是制约其广泛应用的瓶颈。传统CMP（化学机械抛光）需要使用大量的抛光液材料，抛光液成本占抛光环节成本比例较大，这不仅增加了生产成本，也对环境造成了负担。近日，日本立命馆大学（Ritsumeikan University）一研究团队开发了一种新···
2024
07-13
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1前言集成电路制造关键技术及装备主要包括光刻技术及光刻设备、薄膜生长技术及装备、化学机械抛光技术及装备、高密度后封装技术及装备等，均涉及高效率、高精度、高稳定性的运动控制技术和驱动技术，对结构件的精度和结构材料的性能提出了极高的要求[1]。先进陶瓷部件的强度、硬度很高，对高温、高磨损、高腐蚀等环境下具有强大的抵抗能力，在某些工况下比金属或者高分子材料具有不可替代的优势。随着现代工业技术的发展，对精···
2024
07-09
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碳化硅是一种人造材料，只是在人工合成碳化硅之后，才证实陨石中及地壳上偶然存在碳化硅。碳化硅的分子式为 SiC，分子量为 40.07，质量百分组成为 70.04的硅与 29.95 的碳，碳化硅的理论密度为 3.16-3.2g/cm3。碳化硅陶瓷与其他耐高温结构陶瓷的物理性能比较SiC 是以共价键为主的共价化合物，由于碳和硅两元素在形成 SiC 晶体时，它的基本单元是四面体，所有 SiC 均由 SiC···
2024
07-04