在全球能源结构转型与电动化浪潮加速的时代背景下，碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心代表，正从材料革新走向产业重构的战略前沿。其卓越的耐压、耐高温与低损耗特性，使其在电动车、高端电力电子、航空航天与数据通信等领域实现快速渗透。2024年，全球SiC市场规模已达29.44亿美元，预计至2029年将突破142亿美元，五年复合增速达34.9%，成为宽禁带半导体中增长最强劲的赛道之一。本报告围绕市场结构、产业链、区域演变、客户行为及战略机遇进行系统分析，旨在为企业布局、资本投资及政策制定提供前瞻性判断与实证支撑。

一、行业综述：碳化硅的战略价值跃升

碳化硅（Silicon Carbide，简称 SiC）是一种由硅与碳结合而成的半导体材料。SiC 凭借接近金刚石的硬度，能够在严苛环境中运行，具备出色的耐热性和机械强度。在电力半导体应用中，相较传统硅基材料，碳化硅在多个关键性能维度具有显著优势，包括更高的电场强度、更低的热膨胀系数、更宽的带隙宽度及更强的抗化学反应能力。全球碳化硅市场处于增长阶段，2024 年整体估值为 29.44 亿美元，预计到 2029 年将增长至 142.75 亿美元，五年累计新增市场空间超过 113.3 亿美元，相当于 2024 年市场规模的约 385%。预计在 2024 至 2029 年间，年均增长率将在 27.4% 至 49.7% 之间波动，呈现出持续高增态势。

SiC 主要应用于功率半导体领域，包括功率模块和离散器件（如肖特基二极管、SiC MOSFET 和其他晶体管）。随着 SiC MOSFET 等关键器件的量产推进、技术投资持续增长，以及对高功率密度与清洁能源解决方案的全球性需求提升，SiC 的市场潜力日益显著。

碳化硅市场的上位产业为全球特种化学品市场。后者在 2021 年至 2023 年间从 8484.5 亿美元增长至 9478.7 亿美元，年复合增长率为 5.7%。特种化学品包括但不限于精细化学品、添加剂、先进聚合物、粘合剂、密封剂、特种涂料与颜料等，其功能性强、附加值高，是推动 SiC 材料增长的化学基础支撑。

从市场结构来看，2024 年全球 SiC 市场处于高度分散状态，涵盖国际与区域各级企业。市场主体的主导行为包括技术创新与并购整合，而外部影响因素则集中于监管政策与技术颠覆风险。碳化硅作为宽禁带半导体材料代表，其战略地位已从“高性能替代选项”演变为电动汽车、能源转换与工业自动化等新兴场景的关键底层技术。

二、市场结构与产业链分析

碳化硅（SiC）市场隶属于全球特种化学品市场。2021年，全球特种化学品市场规模为8484.5亿美元，并于2023年增至9478.7亿美元，年均复合增长率达5.7%。这一增长主要得益于高附加值产品的广泛应用，包括精细化学品、添加剂、先进聚合物、粘合剂、密封剂、特种涂料与颜料等，它们广泛应用于制造业、电子、化妆品、医药和工业气体等多个领域。

在2024年，碳化硅市场处于高速成长阶段，行业结构仍呈现出高度分散的状态。企业行为方面，技术创新和并购成为主要特征；而在外部影响力方面，监管政策与潜在颠覆性威胁则构成重要变量。

价值链分析显示，碳化硅产业的上游依赖于资本密集型设备和高技术壁垒。对企业而言，最关键的投入因素依次为资本支出（CapEx）和技术能力，其次是研发投入、人力资源和品牌影响力。在2024年，价格和质量是主要的差异化竞争要素，而非功能性或服务结构差异。

此外，尽管该市场整体处于早期成长阶段，但由于规模效应显著及进入门槛较高，新进入者面临挑战；然而，由于产品差异化程度相对有限，仍存在适度的切入机会。这也在一定程度上促使现有企业不断寻求产品创新与供应链优化，以应对不断变化的市场动态。

总结来看，碳化硅市场的产业结构具备以下几个显著特征：

• 上游资源受限，核心投入以资本和技术为主；

• 行业内主要竞争变量为价格与品质；

• 外部力量主要来自监管干预与新兴技术威胁；

• 市场仍处于创新活跃、结构未固化的阶段，具备高度动态性。

三、驱动因素与发展制约

3.1 市场主要驱动因素

碳化硅市场在2024年呈现出以下三项主要增长驱动：

• 航空航天领域对SiC纤维的需求增长:

SiC纤维具备优异的耐高温性、化学稳定性、高模量、轻量性与强耐久性等特性，广泛应用于隔热组件、涡轮引擎纳米管、陶瓷基复合材料（CMC）以及金属合金替代品。其应用不仅提升了飞机燃油效率，也增强了环保性能和经济效益。多个国家增加国防航空支出，进一步推动了先进复合材料的采用，从而为SiC在半导体应用上的增长提供支撑。

• 功率电子产品需求持续上升:
  在消费电子、电力变换、工业控制等多个领域，碳化硅功率器件以其更高的电压/温度承受能力及转换效率，逐步替代传统硅基器件，推动整体市场扩大。

• 电动汽车行业的蓬勃发展:

四、细分市场分析

碳化硅市场根据产品类型、应用场景、器件形态和晶圆尺寸四大维度进行详细划分。各细分市场呈现出不同的成长动力与市场结构，为企业战略制定提供了多维决策基础。

4.1 按产品类型细分

本章节覆盖三类主要产品：功率电子器件、光电子器件与频率器件。

2024年，功率电子器件以36.0%的市场份额位居首位；至2029年，光电子器件将以36.1%的占比跃升为最大细分市场，频率器件仍为最小，占比30.3%。2024–2029年期间，三大细分市场均呈现显著增长：

光电子器件：新增市场规模为41.3亿美元，占总增量36.5%；

功率电子器件：增长37.3亿美元，占比32.9%；

频率器件：增长34.7亿美元，占比30.6%；















4.2 按应用场景细分

涵盖汽车、能源与电力、航空航天与国防、数据通信设备及其他五大领域。

2024年，汽车应用占比34.0%，为主导应用场景；预计2029年占比小幅提升至34.8%，其他类应用将缩减至5.5%。分析期内，各应用场景的新增市场规模如下：

汽车：增长39.7亿美元，占比35.0%；

能源与电力：增长35.4亿美元，占比31.2%；

航空航天与国防：增长22.7亿美元，占比20.0%；

数据通信设备：增长9.9亿美元，占比8.7%；

其他领域：增长5.7亿美元，占比5.0%。

4.3 按器件形式细分

市场被分为两类主要器件：SiC分立器件与SiC模块。

2024年，分立器件占比高达71.1%，并将持续扩大至2029年的80.0%；模块器件的份额则将从28.9%缩减至20.0%。

对市场增量的贡献如下：

分立器件：增长93.3亿美元，占比82.3%；

模块器件：增长20.0亿美元，占比17.7%；

五、市场前景与战略建议

5.1 市场增长前景预测（2024–2029）

碳化硅市场将在未来五年迎来前所未有的跃升：

市场规模增长：从2024年的29.44亿美元增长至2029年的142.75亿美元，累计新增市场空间达113.3亿美元，增长幅度高达385%。

年增长率区间：2025至2029年之间，年增长率将从27.4%上升至49.7%，呈现加速释放态势。

主要推动力：

SiC MOSFET和肖特基二极管等器件的量产落地；

对高功率密度和节能解决方案的全球需求激增；

清洁能源与电动汽车渗透率迅速提升；

规模化制造带来的成本下降与性能优化。

5.2 成长主线与战略机会

根据细分市场结构和成长性判断，以下三条主线构成未来五年SiC行业的核心战略路径：

1. 分立器件驱动型增长

SiC分立器件（如MOSFET和二极管）将贡献整体市场82.3%的新增量；

2024年市值为20.93亿美元，2029年将达114.19亿美元，年均复合增长率达40.4%。

2. 区域突破以亚太为核心

亚太地区将在2029年占据46.5%市场份额，贡献近半数增量，尤其是中国、日本、韩国为重点增量市场；

建议企业加快亚太本地化制造、销售与客户支持体系的构建。

3. 电动车用逆变器为关键应用爆点

高压平台（如800V）对轻量化、高效率的逆变器系统需求提升；

SiC逆变器具有耐高温、效率高、功率密度大等优势，是未来电动车核心控制单元；

头部厂商如Marelli已在800V平台布局产品线。

5.3 战略建议与执行路径

企业建议：

投资机构建议：

• 提前锁定具备SiC垂直整合能力或具有前驱设备/材料技术积累的优质标的；

• 关注区域整合机会，如中国、日本中小厂商可能成为并购整合目标；

• 跟踪下游新能源车、光伏、储能等新型应用领域的交叉创新；

尽管存在挑战，但SiC凭借材料物理极限优势、政策与技术驱动，将在2029年前持续处于增长通道。